企业名称:联合微电子中心有限责任公司
项目介绍:
研究硅基III-V族量子点激光器,解决目前全球性硅基光源的难题,摆脱对国外激光器晶圆片的依赖,可大规模应用于下一代网络、云计算工程集成的线路、数据中心、超级计算机、云存储、5G等行业。
招收人数:2
研究课题:硅基片上集成激光器的研究
企业名称:联合微电子中心有限责任公司
项目介绍:
在大规模集成芯片链路设计、智能布局与布线、物理验证、良率优化等方向形成突破,实现关键功能模块与工具的可控,建立完备可靠的集成光电子器件库,形成面向多应用领域的集成光电子IP库,推动光电子集成自动化设计的发展。
招收人数:2
研究课题:光电子集成EPDA自动化设计研究
企业名称:联合微电子中心有限责任公司
项目介绍:
面向未来可重构光子集成芯片的需求,重点突破光FPGA架构和可重构IP技术、大规模低损耗光网络技术、大规模光子集成器件辅助设计技术及光FPGA芯片制备等关键技术,开发光FPGA标准化验证芯片,完成光FPGA设计的原理验证,对光电集成的前沿核心技术进行布局与探索,最终实现光FPGA核心关键技术的自主可控。
招收人数:2
研究课题:光FPGA芯片架构和实现技术的研究
企业名称:联合微电子中心有限责任公司
项目介绍:
研究超薄有源晶圆减薄CMP技术、混合界面Hybrid Bonding技术、高纵横比TSV工艺和再布线RDL技术。
招收人数:2
研究课题:光电微系统三维集成工艺技术研究
企业名称:联合微电子中心有限责任公司
项目介绍:
研究大像素高灵敏度技术、动态范围扩展技术、微米量级TSV技术等,将像素阵列晶圆、存储IC晶圆和图像处理晶圆的垂直集成,实现感知存算一体的系统芯片。
招收人数:2
研究课题:感知存算一体CIS“系统芯片”技术研究
一、在站工作时间
原则上两年
二、培养形式
与高校博士后流动站联合培养
三、进站程序
(一)申请
1.符合进站条件的博士,可于2020年12月31日前通过信函、电子邮件等方式与博士后科研工作站及企业联系,并以书面形式正式申请。
2.申请作为我站博士后研究人员,须提供以下申报材料:
(1)身份证复印件、个人简历、自荐材料;
(2)博士研究生毕业证书和博士学位证书复印件一份,暂未拿到证书者可提供学位授予部门出具的决定授予学位的书面证明一份;国外获得博士学位的留学人员,需提交由我国驻外使(领)馆出具的留学证明和教育部的博士学位认定证明;
(3)两位该学科领域博士生导师的推荐信;留学人员申请做博士后需有一名外籍专家提交推荐意见;
(4)科研成果证明材料或2篇以上已正式发表或录用的学术研究代表作;
(5)对课题的研究计划和研究思路一份(不少于2000字)。
(二)初审
1.对申请进站工作的博士,博士后工作站及企业对其申请材料进行初审,必要时与申请人进行面谈;
2.在确定进站人员后,与流动站进行沟通、协商联合培养的方案,签署联合培养协议。
(三)进站
1.通过初审的申请者须在中国博士后网上正式办理网上申请手续;
2.博士后工作站管理办公室负责复核,并报重庆市人力资源和社会保障局审批;
3.根据相关管理部门的批复,向获准进站的申请人发出进站
通知书;
4.经批准进站的申请人须在规定时间内按时进站,无特殊情况不按时报到者,按自动退站处理。
四、待遇
1.招收企业为进站博士后提供研究、办公场所,配备必要的办公设施、科研设备、科研经费等,福利待遇、医疗保障待遇等比照企业同等人员对待,或按照协议执行,具体事宜面谈。
2.工作站为在站博士后每年提供8万元安家、岗位津贴等人才奖励补助,资助期限为2年;协助申请各级有关经费,对获得市级博士后日常经费资助、市级及以上博士后项目资助的,按市级及以上资助金额1:1比例进行经费配套。并按有关规定协助在站博士后评定专业技术资格。
3.在站博士后享受《重庆高新区关于加快博士和博士后人才创新发展的若干意见》等相应政策待遇。
4.博士后进站报到及期满出站依照国家和重庆市相关政策办理相关手续。
5.未尽事宜参照国家和重庆市相关规定执行。